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文献
J-GLOBAL ID：201002276571670648
整理番号：10A0253069
階段傾斜SiGe(100)層上に成長させたSiの光学異方性
Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers
BALDERAS-NAVARRO R. E.
(Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 ...)
,
LASTRAS-MARTINEZ L. F.
(Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 ...)
,
ARIMOTO K.
(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
CASTRO-GARCIA R.
(Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 ...)
,
VILLALOBOS-AGUILAR O.
(Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 ...)
,
LASTRAS-MARTINEZ A.
(Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 ...)
,
NAKAGAWA K.
(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
SAWANO K.
(Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)
,
SHIRAKI Y.
(Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)
,
USAMI N.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
NAKAJIMA K.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 9 ページ： 091904 発行年： 2010年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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