文献
J-GLOBAL ID:201002277285262156
整理番号:10A1542877
光及び極端紫外リソグラフィーにおけるマスクトポグラフィー位相効果及び波面収差
Mask-topography-induced phase effects and wave aberrations in optical and extreme ultraviolet lithography
著者 (4件):
ERDMANN A.
(Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
SHAO F.
(Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
EVANSCHITZKY P.
(Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
FUEHNER T.
(Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
28
号:
6
ページ:
C6J1
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)