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文献
J-GLOBAL ID：201002277287872881
整理番号：10A1152270
電界放出誘起エレクトロマイグレーションを利用した単電子トランジスタの作成
Fabriction of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration
KUME Watari
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
TOMODA Yusuke
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
HANADA Michinobu
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
SHIRAKASHI Jun-ichi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10 号： 11 ページ： 7239-7243 発行年： 2010年11月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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