文献
J-GLOBAL ID:201002278904177947
整理番号:10A0731855
シリコンシミュレーションと組み込みデバイスシミュレーションによる基準セルトランジスタのデバイス性能分析
Device Performances Analysis of Standard-Cells transistors using Silicon Simulation and Build-in Device Simulation
著者 (5件):
SHAULY Eitan
(Tower Semiconductor LTD, Migdal Ha’Emek, ISR)
,
SHAULY Eitan
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
PARAG Allon
(Tower Semiconductor LTD, Migdal Ha’Emek, ISR)
,
KRISPIL Uri
(Mentor Graphics, Hertzelia, ISR)
,
ROTSTEIN Israel
(Tower Semiconductor LTD, Migdal Ha’Emek, ISR)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
7641
ページ:
764110.1-764110.8
発行年:
2010年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)