文献
J-GLOBAL ID:201002279072136150
整理番号:10A0093890
SrTiO3またはDyScO3単結晶基板上にエピタキシャル成長させたδ-Bi2O3ナノ構造の相安定性
Phase stabilization of δ-Bi2O3 nanostructures by epitaxial growth onto single crystal SrTiO3 or DyScO3 substrates
著者 (10件):
PROFFIT D. L.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
BAI G.-r.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
FONG D. D.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
FISTER T. T.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
HRUSZKEWYCZ S. O.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
HIGHLAND M. J.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
BALDO P. M.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
FUOSS P. H.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
MASON T. O.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA)
,
EASTMAN J. A.
(Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
2
ページ:
021905
発行年:
2010年01月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)