前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201002280929140708   整理番号:10A0389052

グラフェン酸化物電荷蓄積ノードでの広い記憶窓

Wide memory window in graphene oxide charge storage nodes
著者 (5件):
WANG Shuai
(Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543)
PU Jing
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576)
CHAN Daniel S. H.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576)
CHO Byung Jin
(Dep. of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, KOR)
LOH Kian Ping
(Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 96  号: 14  ページ: 143109  発行年: 2010年04月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。