文献
J-GLOBAL ID:201002280929140708
整理番号:10A0389052
グラフェン酸化物電荷蓄積ノードでの広い記憶窓
Wide memory window in graphene oxide charge storage nodes
著者 (5件):
WANG Shuai
(Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543)
,
PU Jing
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576)
,
CHAN Daniel S. H.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576)
,
CHO Byung Jin
(Dep. of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, KOR)
,
LOH Kian Ping
(Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
14
ページ:
143109
発行年:
2010年04月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)