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文献
J-GLOBAL ID：201002281339354024
整理番号：10A0195408
チャネル電子のエネルギー分布およびグラフェン電界効果トランジスタのゲート漏れ電流に対するその影響
Energy distribution of channel electrons and its impacts on the gate leakage current in graphene field-effect transistors
MAO Ling-Feng
(Soochow Univ., Suzhou, CHN)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 98 号： 3 ページ： 565-569 発行年： 2010年03月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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