文献
J-GLOBAL ID:201002281994324642
整理番号:10A0501015
グラフェン電界効果トランジスタの性能に及ぼすトラップの効果
The effect of traps on the performance of graphene field-effect transistors
著者 (3件):
ZHU J.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095-1594, USA)
,
JHAVERI R.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095-1594, USA)
,
WOO J. C. S.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095-1594, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
19
ページ:
193503
発行年:
2010年05月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)