文献
J-GLOBAL ID:201002282035712389
整理番号:10A0898663
n-Si(100)上に電着したコバルト薄膜の成長速度論と特性
Growth Kinetics and Properties of Thin Cobalt Films Electrodeposited on n-Si(100)
著者 (5件):
LEE Jong Duk
(Gyeongsang National Univ., Jinju, KOR)
,
AN Tae Hwan
(Gyeongsangnamdo Inst. of Sci. Education, Jinju, KOR)
,
NOH Hak Gi
(Gyeongnam Sci. High School, Jinju, KOR)
,
KIM Sung Gon
(Kwandong Middle School, Kimhae, KOR)
,
CHOI Young R.
(Samhyun Girs’ High School, Jinju, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
8,Issue 1
ページ:
085802.1-085802.6
発行年:
2010年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)