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文献
J-GLOBAL ID：201002282062150112
整理番号：10A0908773
高度にアンチモンをドープしたシリコン結晶におけるドーパントクラスタ
A Dopant Cluster in a Highly Antimony Doped Silicon Crystal
KIM Suhyun
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OSHIMA Yoshifumi
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
OSHIMA Yoshifumi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SAWADA Hidetaka
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SAWADA Hidetaka
(Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN)
,
HASHIKAWA Naoto
(Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN)
,
ASAYAMA Kyoichiro
(Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN)
,
KANEYAMA Tosikatu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KANEYAMA Tosikatu
(Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN)
,
KONDO Yukihito
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KONDO Yukihito
(Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN)
,
TANISHIRO Yasumasa
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TANISHIRO Yasumasa
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
TAKAYANAGI Kunio
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TAKAYANAGI Kunio
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 3 号： 8 ページ： 081301.1-081301.3 発行年： 2010年08月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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