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文献
J-GLOBAL ID:201002282111000121   整理番号:10A0831240

GaNの結晶化のフラックスとしてのCa3N2

Ca3N2 as a flux for crystallization of GaN
著者 (5件):
BOCKOWSKI M.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
GRZEGORY I.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
KCHAHAPURIDZE A.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
GIERLOTKA S.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
POROWSKI S.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 312  号: 18  ページ: 2574-2578  発行年: 2010年09月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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