文献
J-GLOBAL ID:201002282111000121
整理番号:10A0831240
GaNの結晶化のフラックスとしてのCa3N2
Ca3N2 as a flux for crystallization of GaN
著者 (5件):
BOCKOWSKI M.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
GRZEGORY I.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
KCHAHAPURIDZE A.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
GIERLOTKA S.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
POROWSKI S.
(Inst. of High Pressure Physics of PAS, ul. SokoLowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
312
号:
18
ページ:
2574-2578
発行年:
2010年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)