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文献
J-GLOBAL ID：201002282666365427
整理番号：10A0750532
N2支援なしで発生したO3酸化剤を用いてSi上に成長した原子層析出HfO2膜中の金属汚染の低下
Reduced Metal Contamination in Atomic-Layer-Deposited HfO2 Films Grown on Si Using O3 Oxidant Generated Without N2 Assistance
PARK Tae Joo
(Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
,
CHUNG Keum Jee
(Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
,
CHUNG Keum Jee
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Hyun-Chul
(Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
,
AHN Jinho
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
WALLACE Robert M.
(Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
,
KIM Jiyoung
(Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13 号： 8 ページ： G65-G67 発行年： 2010年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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