文献
J-GLOBAL ID:201002282688555912
整理番号:10A1106666
金属有機蒸気相エピタキシによって異なる基板上に成長したGaNエピ層における歪効果
Strain effects in GaN epilayers grown on different substrates by metal organic vapor phase epitaxy
著者 (6件):
ZHANG L.
(Dep. of Physics and Astronomy, Katholieke Universiteit, 3001 Leuven, BEL)
,
CHENG K.
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL)
,
DEGROOTE S.
(EpiGaN, Romeinse Straat 18, 3001 Leuven, BEL)
,
LEYS M.
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL)
,
GERMAIN M.
(EpiGaN, Romeinse Straat 18, 3001 Leuven, BEL)
,
BORGHS G.
(Dep. of Physics and Astronomy, Katholieke Universiteit, 3001 Leuven, BEL)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
108
号:
7
ページ:
073522
発行年:
2010年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)