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文献
J-GLOBAL ID：201002282737849005
整理番号：10A0700726
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタに基づく不揮発性メモリの単一正孔充放電現象
Single-Hole Charging and Discharging Phenomena in Carbon Nanotube Field-Effect-Transistor-Based Nonvolatile Memory
OHORI Takahiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAGASO Satoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OHNO Yasuhide
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAEHASHI Kenzo
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
INOUE Koichi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MATSUMOTO Kazuhiko
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 6,Issue 2 ページ： 06GG13.1-06GG13.4 発行年： 2010年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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