文献
J-GLOBAL ID:201002282889905199
整理番号:10A0235779
Si基板上に成長させた単一InAsナノワイヤを用いた垂直サラウンディングゲート・トランジスタ
Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs Nanowires Grown on Si Substrates
著者 (6件):
TANAKA Tomotaka
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TOMIOKA Katsuhiro
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HARA Shinjiroh
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MOTOHISA Junichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
SANO Eiichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUI Takashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
2
ページ:
025003.1-025003.3
発行年:
2010年02月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)