文献
J-GLOBAL ID:201002283288932268
整理番号:10A0822955
4H-SiC p-n接合における低周波雑音に及ぼす順方向電流ストレスの効果
Effect of forward current stress on low frequency noise in 4H-SiC p-n junctions
著者 (6件):
RUMYANTSEV S. L.
(The Ioffe Physico-Technical Inst., Politekhnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, RUS)
,
LEVINSHTEIN M. E.
(The Ioffe Physico-Technical Inst., Politekhnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, RUS)
,
SHUR M. S.
(Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, CII 9017, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York ...)
,
PALMOUR J. W.
(Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, North Carolina 27703, USA)
,
AGARWAL A. K.
(Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, North Carolina 27703, USA)
,
DAS M. K.
(Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, North Carolina 27703, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
108
号:
2
ページ:
024508
発行年:
2010年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)