文献
J-GLOBAL ID:201002283713090144
整理番号:10A0492401
低価格の銅から成るソース/ドレイン電極を持つペンタセンによって構成されるTFTの素子特性に対するSiNx絶縁体の効果
Effect of a SiNx insulator on device properties of pentacene-TFTs with a low-cost copper source/drain electrode
著者 (7件):
LI Jun
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Xiao-Wen
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Liang
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Hao
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
JIANG Xue-Yin
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHU Wen-Qing
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Zhi-Lin
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
25
号:
4
ページ:
045027,1-6
発行年:
2010年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)