文献
J-GLOBAL ID:201002283787135549
整理番号:10A0555013
イオン注入されたGe中の置換及びクラスターB:歪の決定
Substitutional and clustered B in ion implanted Ge: Strain determination
著者 (5件):
BISOGNIN G.
(CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica, Universita di Padova, via Marzolo 8, I-35131 Padova, ITA)
,
VANGELISTA S.
(Universita di Padova, via Marzolo 8, I-35131 Padova, ITA)
,
BERTI M.
(CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica, Universita di Padova, via Marzolo 8, I-35131 Padova, ITA)
,
IMPELLIZZERI G.
(CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, via S. Sofia 64, I-95123 Catania, ITA)
,
GRIMALDI M. G.
(CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, via S. Sofia 64, I-95123 Catania, ITA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
107
号:
10
ページ:
103512
発行年:
2010年05月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)