前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201002283987201058   整理番号:10A0133865

p型とn型有機電界効果トランジスタの輸送特性における高分子とSiO2ゲート絶縁体に関する比較研究

Comparative Study on Gate Insulators of Polymers and SiO2 in Transport Properties of p- and n-Type Organic Field-Effect Transistors
著者 (5件):
OKU Shinya
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
NAGASE Toshiya
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
NAGAMATSU Shuichi
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
TAKASHIMA Wataru
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
KANETO Keiichi
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 49  号: 1,Issue 2  ページ: 01AB14.1-01AB14.4  発行年: 2010年01月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。