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文献
J-GLOBAL ID：201002283987201058
整理番号：10A0133865
p型とn型有機電界効果トランジスタの輸送特性における高分子とSiO2ゲート絶縁体に関する比較研究
Comparative Study on Gate Insulators of Polymers and SiO2 in Transport Properties of p- and n-Type Organic Field-Effect Transistors
OKU Shinya
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
NAGASE Toshiya
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
NAGAMATSU Shuichi
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
TAKASHIMA Wataru
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
KANETO Keiichi
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 1,Issue 2 ページ： 01AB14.1-01AB14.4 発行年： 2010年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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