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文献
J-GLOBAL ID：201002284415045655
整理番号：10A1070865
半導体式ガスセンサに用いられるSnO2系センシング材料中のドーパントの役割(3)-X線回折法・中性子回折法による結晶構造解析
THE ROLE OF DOPANTS IN SnO2-BASED SEMICONDUCTOR GAS SENSING MATERIALS (3)-CRYSTAL STRUCTURE ANALYSES USING X-RAY AND NEUTRON DIFFRACTION METHODS
野村勝裕
(産業技術総合研)
,
蔭山博之
(産業技術総合研)
,
皆越知世
(新コスモス電機)
,
前川亨
(新コスモス電機)
,
神田奎千
(新コスモス電機)
資料名：
Chemical Sensors
(Chemical Sensors)
巻： 26 号： Supplement B ページ： 112-114 発行年： 2010年09月02日
JST資料番号： L3948A CODEN： KAGSEU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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