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文献
J-GLOBAL ID：201002284791580359
整理番号：10A0589915
最新低電子温度マイクロ波励起高密度プラズマシステムによる半導体デバイス製造のための低温(400°C)における酸化ケイ素と窒化ケイ素薄膜の成長と高成長速度
The Growth of Thin Silicon Oxide and Silicon Nitride Films at Low Temperature (400°C) and High Growth Rates for Semiconductor Device Fabrication by an Advanced Low Electron Temperature Microwave-Excited High-Density Plasma System
SAITO Yuji
(Seiko Epson, JPN)
,
SEKINE Katsuyuki
(Toshiba Corp., Yokkaich, JPN)
,
KAIHARA Ryu
(Sharp Corp., JPN)
,
HIRAYAMA Masaki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUGAWA Shigetoshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AHARONI Herzl
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AHARONI Herzl
(Ben-Gurion Univ. Negev, Beer-Sheva, ISR)
,
OHMI Tadahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 23 号： 2 ページ： 328-339 発行年： 2010年05月
JST資料番号： T0521A ISSN： 0894-6507 CODEN： ITSMED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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