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文献
J-GLOBAL ID：201002285293839406
整理番号：10A0955487
PCMアプリケーション用のMOCVDによるGe3Sb2Te5
MOCVD Ge3Sb2Te5 for PCM Applications
ZHENG J. F.
(ATMI Inc., CT, USA)
,
REED J.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
SCHELL C.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
CZUBATYIJ W.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
SANDOVAL R.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
FOURNIER J.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
LI W.
(ATMI Inc., CT, USA)
,
HUNKS W.
(ATMI Inc., CT, USA)
,
DENNISON C.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
HUDGENS S.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
,
LOWREY T.
(Ovonyx Inc., MI, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 9 ページ： 999-1001 発行年： 2010年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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