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文献
J-GLOBAL ID：201002285418597230
整理番号：10A0241735
原子層沈着で成長したnZnO/pGaNヘテロ結合LEDのUVエレクトロルミネセンスと構造
UV Electroluminescence and Structure of n-ZnO/p-GaN Heterojunction LEDs Grown by Atomic Layer Deposition
CHEN Hsing-Chao
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN Miin-Jang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
WU Mong-Kai
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LI Wei-Chih
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
TSAI Hung-Ling
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
YANG Jer-Ren
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
KUAN Hon
(Southern Taiwan Univ., Tainan, TWN)
,
SHIOJIRI Makoto
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46 号： 1-2 ページ： 265-271 発行年： 2010年01月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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