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文献
J-GLOBAL ID：201002285763396603
整理番号：10A0761715
高周波スパッタリングによって蒸着したa-C:H薄膜の構造と電気特性
Structure and electrical properties of a-C:H thin films deposited by RF sputtering
YAMAZATO M.
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
,
MIZUMA I.
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
,
HIGA A.
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 19 号： 7-9 ページ： 695-698 発行年： 2010年07月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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