文献
J-GLOBAL ID:201002285855466918
整理番号:10A1099627
グラフェン電界効果トランジスタの電気及び雑音特性:雰囲気効果,雑音源及び物理機構
Electrical and noise characteristics of graphene field-effect transistors: ambient effects, noise sources and physical mechanisms
著者 (6件):
RUMYANTSEV S
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
RUMYANTSEV S
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St Petersburg, RUS)
,
LIU G
(Univ. California-Riverside, CA, USA)
,
STILLMAN W
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
SHUR M
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
BALANDIN A A
(Univ. California-Riverside, CA, USA)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
22
号:
39
ページ:
395302,1-7
発行年:
2010年10月06日
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)