文献
J-GLOBAL ID:201002286270544448
整理番号:10A0924809
ナノスケールフラッシュメモリアレイの分布サイクル後のしきい値電圧不安定性の検討
Investigation of the Threshold Voltage Instability after Distributed Cycling in Nanoscale NAND Flash Memory Arrays
著者 (10件):
COMPAGNONI Christian Monzio
(Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA)
,
MICCOLI Carmine
(Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA)
,
MOTTADELLI Riccardo
(Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA)
,
BELTRAMI Silvia
(Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA)
,
GHIDOTTI Michele
(Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA)
,
LACAITA Andrea L.
(Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA)
,
LACAITA Andrea L.
(IFN, CNR, Milano, ITA)
,
SPINELLI Alessandro S.
(Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA)
,
SPINELLI Alessandro S.
(IFN, CNR, Milano, ITA)
,
VISCONTI Angelo
(Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2010 Vol.2
ページ:
604-610
発行年:
2010年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)