文献
J-GLOBAL ID:201002286343177120
整理番号:10A0460787
ドーパント偏析Schottkyゲート全周包囲型SiナノワイヤMOSFETに関する部分回路の簡潔なモデル
Subcircuit Compact Model for Dopant-Segregated Schottky Gate-All-Around Si-Nanowire MOSFETs
著者 (9件):
ZHU Guojun
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ZHOU Xing
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
CHIN Yoke-King
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
PEY Kin Leong
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ZHANG Junbin
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
SEE Guan Huei
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd., Singapore)
,
LIN Shihuan
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
YAN Yafei
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
CHEN Zuhui
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
4
ページ:
772-781
発行年:
2010年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)