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文献
J-GLOBAL ID：201002286458785558
整理番号：10A0490915
意図しない量子ドット形成を抑えることによる吊りヘビードープシリコンナノワイヤ上の量子ドットの作製
Suspended Quantum Dot Fabrication on a Heavily Doped Silicon Nanowire by Suppressing Unintentional Quantum Dot Formation
OGI Jun
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OGI Jun
(JST-SORST, Saitama, JPN)
,
GHIASS Mohammad Adel
(Univ. Southampton, Hampshire, GBR)
,
KODERA Tetsuo
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TSUCHIYA Yoshishige
(Univ. Southampton, Hampshire, GBR)
,
TSUCHIYA Yoshishige
(JST-SORST, Saitama, JPN)
,
UCHIDA Ken
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
UCHIDA Ken
(JST-SORST, Saitama, JPN)
,
ODA Shunri
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ODA Shunri
(JST-SORST, Saitama, JPN)
,
MIZUTA Hiroshi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIZUTA Hiroshi
(Univ. Southampton, Hampshire, GBR)
,
MIZUTA Hiroshi
(JST-SORST, Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 4,Issue 1 ページ： 044001.1-044001.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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