文献
J-GLOBAL ID:201002286540119302
整理番号:10A0937373
n-ZnO/SiO2-ZnOナノコンポジット/p-GaNヘテロ構造発光ダイオードの構造と紫外光エレクトロルミネセンス
Structure and Ultraviolet Electroluminescence of n-ZnO/SiO2-ZnO Nanocomposite/p-GaN Heterostructure Light-Emitting Diodes
著者 (9件):
CHEN Miin-Jang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SHIH Ying-Tsang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
WU Mong-Kai
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN Hsing-Chao
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
TSAI Hung-Ling
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LI Wei-Chih
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
YANG Jer-Ren
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
KUAN Hon
(Southern Taiwan Univ., Tainan, TWN)
,
SHIOJIRI Makoto
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
9
ページ:
2195-2202
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)