文献
J-GLOBAL ID:201002287353372718
整理番号:10A0422128
硫黄不動態化処理されたゲルマニウムにおけるSchottky界面のFermi準位の脱ピン止め
Fermi level depinning at the germanium Schottky interface through sulfur passivation
著者 (4件):
THATHACHARY Arun V.
(Dep. of Electrical Communication Engineering, Center for Excellence in Nanoelectronics (CEN), Indian Inst. of Sci. ...)
,
BHAT K. N.
(Dep. of Electrical Communication Engineering, Center for Excellence in Nanoelectronics (CEN), Indian Inst. of Sci. ...)
,
BHAT Navakanta
(Dep. of Electrical Communication Engineering, Center for Excellence in Nanoelectronics (CEN), Indian Inst. of Sci. ...)
,
HEGDE M. S.
(Solid State and Structural Chemistry Unit (SSCU), Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
15
ページ:
152108
発行年:
2010年04月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)