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文献
J-GLOBAL ID：201002287819689130
整理番号：10A0831574
ワイドギャップ半導体TlGaSe2単結晶中のFe3+イオンの零磁場分裂パラメータの理論解釈
Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal
ACIKGOEZ Muhammed
,
GNUTEK Pawel
,
RUDOWICZ Czeslaw
資料名：
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻： 150 号： 35-36 ページ： 1610-1613 発行年： 2010年09月
JST資料番号： H0499A ISSN： 0038-1098 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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