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文献
J-GLOBAL ID：201002287951055689
整理番号：10A0851114
室温でdcマグネトロンスパッタリングによって蒸着された酸化インジウム亜鉛半導体薄膜
Indium zinc oxide semiconductor thin films deposited by dc magnetron sputtering at room temperature
LI G.f.
(Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
ZHOU J.
(Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
HUANG Y.w.
(Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
YANG M.
(Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
FENG J.h.
(Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
ZHANG Q.
(Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 85 号： 1 ページ： 22-25 発行年： 2010年07月23日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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