文献
J-GLOBAL ID:201002288583396469
整理番号:10A0924874
SiN組成に依存するMONOSメモリ消去機構の遷移とそのサイクル劣化に与える影響
Transition of Erase Mechanism for MONOS memory depending on SiN Composition and its Impact on Cycling Degradation
著者 (5件):
FUJII Shosuke
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
FUJIKI Jun
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
YASUDA Naoki
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
FUJITSUKA Ryota
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SEKINE Katsuyuki
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2010 Vol.2
ページ:
956-959
発行年:
2010年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)