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文献
J-GLOBAL ID：201002288592366785
整理番号：10A0343807
22nm世代に向けたEUVリソグラフィを用いた70nmピッチCu/ポーラス低kD/D集積の実用化研究
Feasibility Study of 70nm Pitch Cu/Porous Low-k D/D Integration Featuring EUV Lithography toward 22nm Generation
NAKAMURA N.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
ODA N.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
SODA E.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
HOSOI N.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
GAWASE A
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
AOYAMA H.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Y.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
KAWAMURA D.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
CHIKAKI S.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
SHIOHARA M.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
TARUMI N.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
KONDO S.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
MORI I.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
SAITO S.
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009 ページ： 817-820 発行年： 2009年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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