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文献
J-GLOBAL ID：201002288696142331
整理番号：10A1138539
ワイドギャップp型半導体LaCuOSeの正孔ドーピングおよび関連オプトエレクトロニクス特性の起源
Origins of Hole Doping and Relevant Optoelectronic Properties of Wide Gap p-Type Semiconductor, LaCuOSe
HIRAMATSU Hidenori
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
TOHEI Tetsuya
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IKENAGA Eiji
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN)
,
MIZOGUCHI Teruyasu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IKUHARA Yuichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IKUHARA Yuichi
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
KOBAYASHI Keisuke
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Journal of the American Chemical Society
(Journal of the American Chemical Society)
巻： 132 号： 42 ページ： 15060-15067 発行年： 2010年10月27日
JST資料番号： C0254A ISSN： 0002-7863 CODEN： JACSAT 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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