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文献
J-GLOBAL ID：201002288854486124
整理番号：10A0686323
n-p-n発光トランジスタあるいはトランジスタレーザにおける確率的ベースドーピング及び再結合の量子井戸増倍
Stochastic base doping and quantum-well enhancement of recombination in an n-p-n light-emitting transistor or transistor laser
THEN H. W.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...)
,
WU C. H.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...)
,
FENG M.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...)
,
HOLONYAK N.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...)
,
WALTER G.
(Quantum Electro Opto Systems Sdn Bhd, Melaka 75450, Malaysia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 26 ページ： 263505 発行年： 2010年06月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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