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文献
J-GLOBAL ID:201002288905172987   整理番号:10A0582857

La0.8Sr0.2MnO3/ZnOヘテロ構造の電気抵抗および磁気抵抗特性に及ぼすZnO膜厚の影響

Effects of ZnO film thickness on electrical and magnetoresistance characteristics of La0.8Sr0.2MnO3/ZnO heterostructures
著者 (2件):
FENG Yuchun
(Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124 ...)
ZHANG Ming
(Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124 ...)

資料名:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)

巻: 322  号: 18  ページ: 2675-2679  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: H0644A  ISSN: 0304-8853  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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