文献
J-GLOBAL ID:201002288905172987
整理番号:10A0582857
La0.8Sr0.2MnO3/ZnOヘテロ構造の電気抵抗および磁気抵抗特性に及ぼすZnO膜厚の影響
Effects of ZnO film thickness on electrical and magnetoresistance characteristics of La0.8Sr0.2MnO3/ZnO heterostructures
著者 (2件):
FENG Yuchun
(Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124 ...)
,
ZHANG Ming
(Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124 ...)
資料名:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
(Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻:
322
号:
18
ページ:
2675-2679
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
H0644A
ISSN:
0304-8853
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)