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文献
J-GLOBAL ID：201002289250842484
整理番号：10A0466593
ZnO/Siから成るヘテロ接合のエレクトロルミネセンス特性:エネルギーバンド配列と界面の微小構造
Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure
YOU J. B.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
ZHANG X. W.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
ZHANG S. G.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
TAN H. R.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
YING J.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
YIN Z. G.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
ZHU Q. S.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
CHU Paul K.
(Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 8 ページ： 083701 発行年： 2010年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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