文献
J-GLOBAL ID:201002289646912272
整理番号:10A0847795
Si(100)-(2×1)上の励起誘起ゲルマニウム量子ドット形成
Excitation-induced germanium quantum dot formation on Si(100)-(2×1)
著者 (2件):
ER Ali Oguz
(Dep. of Physics, Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529, USA)
,
ELSAYED-ALI Hani E.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and the Applied Res. Center, Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529 ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
108
号:
3
ページ:
034303
発行年:
2010年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)