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文献
J-GLOBAL ID：201002289674842263
整理番号：10A0176951
緩和SiGe-オン-絶縁体上の歪みSiにおける歪み安定性及びキャリア移動度増大
Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator
MA Xiaobo
(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
MA Xiaobo
(City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
LIU Weili
(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
LIU Xuyan
(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
DU Xiaofeng
(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
SONG Zhitang
(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
LIN Chenglu
(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
CHU Paul K.
(City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157 号： 1 ページ： H104-H108 発行年： 2010年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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