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文献
J-GLOBAL ID:201002290133016695   整理番号:10A0213061

極端に短いp-チャネルトランジスタにおけるドレイン側からソース側へと到達するハロー注入とその逆のハロー注入の観察

Observation of halo implant from the drain side reaching the source side and vice versa in extremely short p-channel transistors
著者 (8件):
LAU W.s.
(Nanyang Technological Univ., School of Electrical and Electronic Engineering, Div. of Microelectronics, Block S2.1 ...)
YANG Peizhen
(Nanyang Technological Univ., School of Electrical and Electronic Engineering, Div. of Microelectronics, Block S2.1 ...)
LIM Eng Hua
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)
TANG Yee Ling
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)
LAI Seow Wei
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)
LO V.l.
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)
SIAH S.y.
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)
CHAN L.
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 50  号:ページ: 346-350  発行年: 2010年03月 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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