文献
J-GLOBAL ID:201002290437879878
整理番号:10A0548444
エピタキシャル層構造設計によるInGaN系レーザダイオードの性能改善
Performance improvement of InGaN-based laser diodes by epitaxial layer structure design
著者 (13件):
LIU Jianping
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
ZHANG Yun
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
LOCHNER Zachary
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
KIM Seong-Soo
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
KIM Hyunsoo
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
RYOU Jae-Hyun
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
SHEN Shyh-Chiang
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
YODER P. Doug
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
DUPUIS Russell D.
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
WEI Qiyuan
(Arizona State Univ., Arizona, USA)
,
SUN Kewei
(Arizona State Univ., Arizona, USA)
,
FISCHER Alec
(Arizona State Univ., Arizona, USA)
,
PONCE Fernando
(Arizona State Univ., Arizona, USA)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
7602
ページ:
760219.1-760219.6
発行年:
2010年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)