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文献
J-GLOBAL ID：201002290456439889
整理番号：10A0657476
HfO2/GaAs界面状態と界面パシベーションの起源 第一原理による研究
Origin of HfO2/GaAs interface states and interface passivation: A first principles study
WANG Weichao
(Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA)
,
XIONG Ka
(Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA)
,
LEE Geunsik
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
,
HUANG Min
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
,
WALLACE Robert M.
(Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA)
,
WALLACE Robert M.
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
,
CHO Kyeongjae
(Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA)
,
CHO Kyeongjae
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 256 号： 22 ページ： 6569-6573 発行年： 2010年09月01日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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