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文献
J-GLOBAL ID：201002290636014002
整理番号：10A0387512
ウェットプロセスにより製作した酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタの高い電気性能
High Electrical Performance of Wet-Processed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors
PARK Kyung-Bae
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
SEON Jong-Baek
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KIM Gun Hee
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
YANG Mino
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KOO Bonwon
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KIM Hyun Jae
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
RYU Myung-Kwan
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
LEE Sang-Yoon
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 4 ページ： 311-313 発行年： 2010年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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