文献
J-GLOBAL ID:201002290976568878
整理番号:10A0366298
高いゲート及びドレインバイアス応力下の短チャンネルp型多結晶珪素薄膜トランジスタの信頼度
Reliability in Short-Channel p-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor under High Gate and Drain Bias Stress
著者 (5件):
CHOI Sung-Hwan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sun-Jae
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
MO Yeon-Gon
(Samsung Mobile Display Co., Ltd., Kyeonggi-do, KOR)
,
KIM Hye-Dong
(Samsung Mobile Display Co., Ltd., Kyeonggi-do, KOR)
,
HAN Min-Koo
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
3,Issue 2
ページ:
03CA04.1-03CA04.6
発行年:
2010年03月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)