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文献
J-GLOBAL ID：201002291050579813
整理番号：10A1124825
反射率差分光法により研究したInAs/GaAsエピタクシー層の2次元から3次元への成長転移
The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
ZHOU G. Y.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
CHEN Y. H.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
TANG C. G.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
LIANG L. Y.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
JIN P.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
WANG Z. G.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 8 ページ： 083513 発行年： 2010年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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