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文献
J-GLOBAL ID：201002291246493119
整理番号：10A0847600
深さ勾配ドープした負の電子親和力を有するGaN光電陰極に関する高い量子効率
High quantum efficiency of depth grade doping negative-electron-affinity GaN photocathode
GUO Xiangyang
(Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...)
,
WANG Xiaohui
(Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...)
,
CHANG Benkang
(Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...)
,
ZHANG Yijun
(Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...)
,
GAO Pin
(Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 6 ページ： 063104 発行年： 2010年08月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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