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文献
J-GLOBAL ID：201002291783498135
整理番号：10A0366247
硼素ドーピングによるp型半導体超ナノ結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合膜の形成
Formation of p-Type Semiconducting Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite Films by Boron Doping
OHMAGARI Shinya
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YOSHITAKE Tsuyoshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAGANO Akira
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OHTANI Ryota
(Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN)
,
SETOYAMA Hiroyuki
(Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN)
,
KOBAYASHI Eiichi
(Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN)
,
HARA Takeshi
(Ariake National Coll. Technol., Fukuoka, JPN)
,
NAGAYAMA Kunihito
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 3,Issue 1 ページ： 031302.1-031302.4 発行年： 2010年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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