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文献
J-GLOBAL ID：201002292459583320
整理番号：10A0048972
(111)配向InGaAsチャンネル上に作製した高電子移動度の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ
High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-Oriented InGaAs Channels
ISHII Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIYATA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
URABE Yuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
ITATANI Taro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
YASUDA Tetsuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMADA Hisashi
(Sumitomo Chemical, Ibaraki, JPN)
,
FUKUHARA Noboru
(Sumitomo Chemical, Ibaraki, JPN)
,
HATA Masahiko
(Sumitomo Chemical, Ibaraki, JPN)
,
DEURA Momoko
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 12 ページ： 121101.1-121101.3 発行年： 2009年12月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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