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文献
J-GLOBAL ID：201002292560837651
整理番号：10A1539029
AlGaN/GaNから成るヘテロ構造の表面化学状態と障壁高に及ぼす酸化の効果
Effects of oxidation on surface chemical states and barrier height of AlGaN/GaN heterostructures
HIGASHIWAKI Masataka
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
CHOWDHURY Srabanti
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SWENSON Brian L.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 22 ページ： 222104 発行年： 2010年11月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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